目前射频器件的主流制造材料是砷化镓（GaAs），但在高通等厂商的大力推动下，采用硅作为原材料的CMOS制程工艺已经受到市场的密切关注。特别是无线网络满足载波聚合（CA）功能带来的多模多频需求，增加了射频元件的成本，迫使厂商寻找更高性价比的方案。
CMOS制程工艺成为理想选择。无晶圆半导体设计公司RFaxis多年来致力于采用纯CMOS制程实现无线网络射频解决方案，面临良好的市场机遇。该公司表示，CMOS制程射频器件具有高集成、高性能、低成本、超导性良好等优点，而且不仅仅是芯片成本降低，对厂商来说应用开发也更简单，降低了系统成本。
当然，COMS制程也有其缺点，传统上认为CMOS制程射频器件功耗较大，接收灵敏度逊于GaAs。但经过RFaxis几年来努力，功耗已经降低到GaAs水平，接收灵敏度也大为提升，可以满足载波聚合的要求，同时成本只有GaAs或SiGe的几分之一。“GaAs等化合半导体产能及价格波动较大，而硅的原材料是沙子。”
据了解，RFaxis通过获得专利的独家技术，把多项关键功能纳入一个纯CMOS单芯片、单硅片RFeIC架构中，包括功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、收发开关电路(TransmitandReceiveSwitchingCircuitry)、关联匹配网络(AssociatedMatchingNetwork)、谐波滤波器(HarmonicFilter)，改变了传统射频前端模组采用分立电路拼接技术，重新定义了射频前端解决方案的成本、尺寸、性能标准。
RFaxis的CMOSRFeIC解决方案适用于WLAN、Bluetooth、WHDI、ZigBee、SmartEnergy/Home、ISM等无线平台以及WCDMA/LTE无线通信技术，在智能手机无线连接领域，已经与高通、博通、联发科、展讯等公司展开了合作，获得了广泛的应用。随着物联网时代的到来，该公司也将目光放到了未来的物联网连接市场。
RFaxis表示，到2017年，Wi-Fi年度出货量可望达到30亿，而物联网在2020年的年度出货量预计为500亿。据业内专家估算，物联网传感器节点的单价应该低于1美元才有可能获得大规模普及，而GaAs和SiGe射频芯片无法做到。“纯CMOS制程的裸片方案将在性能、成本等方面具有诱人的前景”。
